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TO263-7封装的新1200V CoolSiC沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
【2023 年 7 月 3 日,德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能够实现双向充电功能,并显著降低了车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本。相比第一代产品,1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%,具有同类最佳的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行,缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于栅极-源极阈值电压(VGS(th)